Uniwersytet Warszawski - Centralny System UwierzytelnianiaNie jesteś zalogowany | zaloguj się
katalog przedmiotów - pomoc

Technologia i strukturyzacja materiałów półprzewodnikowych

Informacje ogólne

Kod przedmiotu: 1101-5FS13 Kod Erasmus / ISCED: 13.205 / (0533) Fizyka
Nazwa przedmiotu: Technologia i strukturyzacja materiałów półprzewodnikowych
Jednostka: Wydział Fizyki
Grupy: Fizyka, II stopień; przedmioty sp. Fizyka materii skondensowanej i nanostruktur półprzewodnikowych
Przedmioty do wyboru dla doktorantów;
Strona przedmiotu: http://www.fuw.edu.pl/~wmpac/dydaktyka/dydaktyka.htm
Punkty ECTS i inne: 3.00
zobacz reguły punktacji
Język prowadzenia: polski
Kierunek podstawowy MISMaP:

fizyka

Założenia (opisowo):

Celem jest kształcenie wysokiej klasy specjalistów, fizyków, potrafiących badać doświadczalnie i interpretować zjawiska fizyczne zachodzące w półprzewodnikach, strukturach półprzewodnikowych i innych układach wykorzystujących elementy wytwarzane na bazie materii skondensowanej.

Tryb prowadzenia:

w sali

Skrócony opis:

Wykład na temat technologii stosowanych do wytwarzania materiałów, struktur oraz urządzeń półprzewodnikowych. Omówione zostaną techniki wzrostu kryształów, techniki trawienia, a także techniki charakteryzacji mikro i nanostruktur.

Pełny opis:

Przemysł półprzewodnikowy - narodziny i stan obecny

Wzrost kryształów objętościowych z roztopu, roztworu, fazy gazowej

Domieszkowanie, segregacja domieszek

Wzrost para-ciecz-kryształ (VLS), wzrost nanodrutów.

Epitaksja z fazy ciekłej i gazowej, z wiązek molekularnych

Struktury epitaksjalne: zwierciadła Bragga, mikrownęki, struktury niskowymiarowe (studnie kwantowe, kropki kwantowe), dichalkogenki metali przejściowych.

Inżynieria przerwy energetycznej i naprężęń.

Złącza p-i-n, tranzystory

Metody charakteryzacji rosnących kryształów (in-situ): dyfrakcja elektronów (RHEED), odbicie światła,

Metody charakteryzacji kryształów po wzroście (ex-situ): dyfrakcja rentgenowska, mikroskopia, spektroskopia optyczna, pomiary transportu elektronowego, efekt Halla.

Strukturyzacja w skali mikro i nano. Wytwarzanie struktur fotonicznych.

Literatura:

1. Ch. Kittel, „Wstęp do fizyki ciała stałego”, PWN 1999 (druk na żądanie)

2. P.Y. Yu, M. Cardona, „Fundamentals of Semiconductors”, 3rd edition, Springer 2001

Efekty uczenia się:

Zapoznanie się z szerokim zakresem metod wytwarzania materiałów i struktur półprzewodnikowych o różnej wymiarowości. Przygotowanie do pracy w laboratoriach typu "clean room" (o podwyższonej czystości).

Metody i kryteria oceniania:

Na koniec semestru studenci piszą test, rozwiązują zadania i przystępują do egzaminu ustnego w oparciu o ogłoszoną wcześniej listę pytań.

Praktyki zawodowe:

Studenci mają możliwość odwiedzenia laboratoriów o których jest mowa w wykładzie. Mogą także wziąć udział w procesie wzrostu kryształów metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE).

Zajęcia w cyklu "Semestr zimowy 2020/21" (zakończony)

Okres: 2020-10-01 - 2021-01-31
Wybrany podział planu:


powiększ
zobacz plan zajęć
Typ zajęć: Wykład, 30 godzin, 20 miejsc więcej informacji
Koordynatorzy: Wojciech Pacuski
Prowadzący grup: Wojciech Pacuski
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Przedmiot - Egzamin
Wykład - Egzamin
Opisy przedmiotów w USOS i USOSweb są chronione prawem autorskim.
Właścicielem praw autorskich jest Uniwersytet Warszawski.